English term (edited): gate injection transistor (GIT)

https://www.researchgate.net/publication/224120881_GaN_monol...
Taking advantages of the bi-directional operation free from the forward voltage off-set, the inverter can be operated just by the integrated six GaN-based normally-off gate injection transistors (GITs) without any external fast recovery diodes (FRDs) to flow the fly-wheel current.

http://www.businesswire.com/news/home/20150518006812/es/
Los transistores de puerta de inyección (GIT) (...) producidos en un sustrato de SI de seis pulgadas, permiten la creación del modo de refuerzo.

Un GIT es un transistor de GaN normalmente inactivo desarrollado originalmente por (...) Los nuevos principios operativos se basan en el aumento de la corriente del drenaje en el momento de inyección de huecos para mantener la compatibilidad entre la baja resistencia de encendido y el modo de refuerzo.

http://itusersmagazine.com/author/jzm/page/467/


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